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王广才

团队队伍

  • 王广才
    性别 : 所属部门 : 光电子薄膜器件与技术研究所
    职称 : 教授级高级工程师 学历 : 博士
    行政职务 : 所学专业 : 半导体物理与半导体器件物理
    办公电话 :
    邮箱 : wgc2008@nankai.edu.cn
    研究方向 : 薄膜光电子材料与器件、薄膜型锑化铟霍尔元件

个人简历

王广才,19877月伟德国际BETVlCTOR电子科学系本科毕业,获学士学位,19967月伟德国际BETVlCTOR光电子所博士毕业,获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。近几年已发表论文16篇,主持和参与14项科研项目,经费合计为2024.33万元,其中主持国家863计划等课题9项,合计经费844.33万元。研究方向:硅基薄膜太阳电池的设计和研制;薄膜型锑化铟霍尔元件的研制。




       

科研项目/成果/获奖/专利

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2019-012020-01

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-012018-12

高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发(863计划)----2013-012015-12

超声波喷雾法制备光伏玻璃减反射膜(天津市科技计划)----2010-042013-03

一种采用镀膜法制备宽光谱高透过率增透膜的方法,授权专利号:ZL 2014 1 0390242.6

霍尔元件芯片,授权专利号:ZL 2019 2 1282606.3

一种圆锅夹具与一种镀膜装置,授权专利号:ZL 2019 2 1313365.4

磁吸式抛光夹具和抛光装置,授权专利号:ZL 2019 2 1139558.2


其他横向项目----2021-08到 现在

锑化铟霍尔元件芯片----2024-05 2027-08

专用霍尔元件芯片----2023-06 2023-09

专用霍尔元件芯片----2021-08 2022-02


论文/专著/教材

1Thin Ferrite Wafer Uniformly Polished with Magnetic Attraction Method, ECS Journal of Solid State Science and Technology; DOI: 10.1149/2162-8777/abb3af2020 9 074004
2
Role of Moisture in the Preparation of Efficient Planar Perovskite Solar Cells; ACS Sustainable Chemistry & EngineeringDOI: 10.1021/acssuschemeng.9b039132019717691-17696
3
Effect of substrate temperature on F and Al co-doped ZnO films deposited by radio frequency magnetron sputtering; Solar Energy; DOI: 10.1016/j.solener.2019.09.095; 194 (2019) 471–477
4
、薄膜型锑化铟霍尔元件芯片测试系统的设计与实现,《自动化与仪器仪表》,2021年第2期(总第256期),93-96+99
5
、温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响,《半导体技术》,2021年第46卷第7期,546-552
6
、用于太阳模拟器的新型匀光器,《光学学报》,2020年第40卷第24期,pp: 2436001


讲授课程

1、《大学物理(二)》;2、《等离子体放电原理与应用》(博士/硕士)
3
、《气候变化与清洁能源》;4、《3D打印及应用》


社会兼职

无。