个人简历
王广才,1987年7月伟德国际BETVlCTOR电子科学系本科毕业,获学士学位,1996年7月伟德国际BETVlCTOR光电子所博士毕业,获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。近几年已发表论文16篇,主持和参与14项科研项目,经费合计为2024.33万元,其中主持国家863计划等课题9项,合计经费844.33万元。研究方向:硅基薄膜太阳电池的设计和研制;薄膜型锑化铟霍尔元件的研制。 |
|
科研项目/成果/获奖/专利
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2019-01到2020-01
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01到2018-12
高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发(863计划)----2013-01到2015-12
超声波喷雾法制备光伏玻璃减反射膜(天津市科技计划)----2010-04到2013-03
一种采用镀膜法制备宽光谱高透过率增透膜的方法,授权专利号:ZL 2014 1 0390242.6
霍尔元件芯片,授权专利号:ZL 2019 2 1282606.3
一种圆锅夹具与一种镀膜装置,授权专利号:ZL 2019 2 1313365.4
磁吸式抛光夹具和抛光装置,授权专利号:ZL 2019 2 1139558.2
其他横向项目----2021-08到 现在
锑化铟霍尔元件芯片----2024-05 到 2027-08
专用霍尔元件芯片----2023-06 到 2023-09
专用霍尔元件芯片----2021-08 到 2022-02
论文/专著/教材
1、Thin Ferrite Wafer Uniformly Polished with Magnetic Attraction Method, ECS Journal of Solid State Science and Technology; DOI: 10.1149/2162-8777/abb3af; 2020 9 074004
2、Role of Moisture in the Preparation of Efficient Planar Perovskite Solar Cells; ACS Sustainable Chemistry & Engineering; DOI: 10.1021/acssuschemeng.9b03913; 2019,7,17691-17696
3、Effect of substrate temperature on F and Al co-doped ZnO films deposited by radio frequency magnetron sputtering; Solar Energy; DOI: 10.1016/j.solener.2019.09.095; 194 (2019) 471–477
4、薄膜型锑化铟霍尔元件芯片测试系统的设计与实现,《自动化与仪器仪表》,2021年第2期(总第256期),93-96+99
5、温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响,《半导体技术》,2021年第46卷第7期,546-552
6、用于太阳模拟器的新型匀光器,《光学学报》,2020年第40卷第24期,pp: 2436001
讲授课程
1、《大学物理(二)》;2、《等离子体放电原理与应用》(博士/硕士)
3、《气候变化与清洁能源》;4、《3D打印及应用》
社会兼职
无。